歷時5年多的審判，中國DRAM芯片廠商福建晉華集成電路有限公司（以下簡稱“福建晉華”）終獲清白。

　　美媒彭博社當?shù)貢r間2月28日報道，美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院在無陪審團審判中正式宣判福建晉華無罪，不存在“經(jīng)濟間諜活動”。負責本案的高級法官切斯尼（Maxine M. Chesney）認為，美國檢方未能證明福建晉華公司竊取盜用了美國芯片巨頭美光公司的專利數(shù)據(jù)，故針對福建晉華公司的其他刑事指控不成立。

　　與此同時，2月28日，福建晉華對此判決發(fā)表聲明稱：“晉華公司一直依法經(jīng)營，尊重知識產(chǎn)權(quán)。公司在美刑事案件經(jīng)法庭審理，所有指控罪名都不成立。我們對判決表示歡迎?！?/p>

　　“糾葛”從而何來？

　　公開資料顯示，福建晉華成立于2016年2月26日；同年5月，福建晉華選擇與中國臺灣地區(qū)聯(lián)華電子（以下簡稱：聯(lián)電）進行合作。根據(jù)合作協(xié)議，福建晉華將提供特用設備，借助聯(lián)電在DRAM方面的技術(shù)優(yōu)勢完成開發(fā)和投產(chǎn)，并依開發(fā)進度支付技術(shù)報酬金作為開發(fā)費用，開發(fā)成果將由雙方共同擁有。

　　也正是此次合作，為后來的“糾葛”埋下了伏筆。

　　2017年9月，美光科技起訴福建晉華與聯(lián)電，指控從美光跳槽到聯(lián)電的員工竊取其存儲芯片DRAM商業(yè)機密，從而幫助聯(lián)電開發(fā)32nm DRAM。同年12月，美光科技又在美國加州聯(lián)邦法庭起訴福建晉華、聯(lián)電，稱聯(lián)電通過美光科技臺灣地區(qū)員工竊取其知識產(chǎn)權(quán)，包括DRAM的關(guān)鍵技術(shù)，并交付福建晉華。

　　與此同時 ，美國商務部也以國家安全為由，宣布自2018年10月30日起對福建晉華實施出口管制，被美國列入出口管制“實體清單”的中國企業(yè)。

　　直到2020年10月，這場糾紛迎來重要進展，聯(lián)電選擇向美光科技“妥協(xié)”，與美國司法部達成和解協(xié)議，美國司法部將撤銷對聯(lián)電的指控，聯(lián)電則承認侵犯這一項商業(yè)秘密，同意支付6000萬元美元的罰金。

　　而福建晉華與美光科技的糾紛則一直持續(xù)到2023年12月。去年12月，美光科技公司發(fā)言人在一封電子郵件中表示，已經(jīng)與福建晉華達成全球和解協(xié)議，雙方將在全球范圍內(nèi)撤回各自的訴訟，并終止涉及雙方之間的所有法律程序。不過，對于和解的具體細節(jié)，雙方并未透露過多信息。

　　對于福建晉華和美光科技的“全球和解”，有業(yè)內(nèi)人士認為這可以算是美光科技在向中國市場示好，畢竟中國是美光科技在全球最大的市場之一。根據(jù)美光科技2023財年第四財季數(shù)據(jù)顯示，其當季實現(xiàn)營收40.1億美元，同比減少39.64%，凈虧損為14.3億美元。2024財年第一財季的業(yè)績報告顯示，截至2023年11月30日，美光科技營收為47.3億美元，凈虧損為12.3億美元。

　　而且2023年5月，網(wǎng)絡安全審查辦公室審查發(fā)現(xiàn)，美光科技產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡安全問題隱患，對我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。法律法規(guī)，我國國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設施的運營者應停止采購美光公司產(chǎn)品。

　　因此，業(yè)內(nèi)人士認為，如若失去中國市場，這對于美光科技而言無疑是雪上加霜。

　　圖源：豆包AI生成

　　國產(chǎn)存儲芯片廠商“異軍突起”

　　一直以來，全球存儲芯片的技術(shù)和市場被美國、日本、韓國等海外巨頭所壟斷，而我國的存儲芯片企業(yè)由于起步較晚，技術(shù)力量薄弱，資金壓力較大，處于一個被動和邊緣的地位，在夾縫中求生，一時難以與這些國外巨頭相抗衡。

　　就DRAM市場來看，有關(guān)數(shù)據(jù)顯示，三星、SK海力士與美光半導體這三家巨頭，就已經(jīng)壟斷了將近95%的市場。

　　不過，近幾年來，我國存儲芯片行業(yè)發(fā)生了翻天覆地的變化，長江存儲、長鑫存儲、兆易創(chuàng)新、北京君正、瀾起科技、佰維存儲等多家存儲廠商大放異彩，呈現(xiàn)出“做大做強”的趨勢。他們憑借自主創(chuàng)新的能力和持續(xù)投入的資金，實現(xiàn)了存儲芯片技術(shù)的突破，打破了國外存儲芯片廠商壟斷的局面，為我國存儲芯片領(lǐng)域帶來了新的活力。

　　當前，我國新型半導體存儲產(chǎn)業(yè)取得了重大進展，在產(chǎn)業(yè)鏈上游的NAND Flash、SSD主控芯片和DRAM等領(lǐng)域，以及中游的存儲整機和存儲系統(tǒng)和下游的應用等方面基本上達到了自立自強的要求。

　　例如，長江存儲在3D NAND技術(shù)發(fā)展路線上持續(xù)進階，從32層到64層到128層再到232層的突破，進一步縮小了與國際存儲巨頭的差距。長鑫存儲作為國內(nèi)DRAM的頭部企業(yè)，在DRAM領(lǐng)域已推出多款DRAM商用產(chǎn)品，并于2023年正式推出LPDDR5 DRAM存儲芯片，成為國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)LPDDR5產(chǎn)品的品牌。兆易創(chuàng)新產(chǎn)品線NOR＋NAND＋DRAM全覆蓋，在NOR Flash領(lǐng)域已成為全球排名第三的供應商……

　　隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等技術(shù)的不斷推進，進一步拉動了存儲行業(yè)的發(fā)展，對存儲芯片的需求逐步增長，國產(chǎn)存儲芯片市場持續(xù)擴大。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2018-2022年，中國存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模總體呈現(xiàn)上漲態(tài)勢。其中，2022年國內(nèi)存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模約為5938億元，預測2023年將達到6492億元。

　　當下，我國存儲芯片的發(fā)展還在持續(xù)精進，各家存儲芯片廠商正在積極投入，努力實現(xiàn)技術(shù)的自主創(chuàng)新，不斷提升市場競爭力，相信未來能夠看到國產(chǎn)存儲芯片“突出重圍，全面開花”的盛況！

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