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三星12納米級內(nèi)存產(chǎn)品再擴容

2023-09-01 14:30 美通社

導讀：9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組。此次新品為實現(xiàn)高達1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產(chǎn)。（全球TMT）

9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組。此次新品為實現(xiàn)高達1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產(chǎn)。（全球TMT）