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三星在OCP China Day上分享兩大應(yīng)對內(nèi)存墻限制的技術(shù)解決方案

2023-08-10 14:30 美通社

導(dǎo)讀:北京2023年8月10日 -- 8月10日, 三星半導(dǎo)體在本次第五屆OCP China Day 2023(開放計算中國技術(shù)峰會)上分享了兩大應(yīng)對內(nèi)存墻限制的創(chuàng)新技術(shù)解決方案和開放協(xié)作的業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。三星電子副總裁,半導(dǎo)體事業(yè)軟件開發(fā)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人張實完(Silwan Chang)發(fā)表了"擴(kuò)大開放協(xié)作,迎接高效大數(shù)據(jù)時代"的主題演講。他表示:"當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展正面臨內(nèi)存墻限制的挑戰(zhàn)。我們的首要解決方案是引入主動存儲(Active Memory)建立全新內(nèi)存層次結(jié)構(gòu),其次是發(fā)展以數(shù)據(jù)為中心的計算技術(shù)。"

北京2023年8月10日 -- 8月10日, 三星半導(dǎo)體在本次第五屆OCP China Day 2023(開放計算中國技術(shù)峰會)上分享了兩大應(yīng)對內(nèi)存墻限制的創(chuàng)新技術(shù)解決方案和開放協(xié)作的業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。三星電子副總裁,半導(dǎo)體事業(yè)軟件開發(fā)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人張實完(Silwan Chang)發(fā)表了"擴(kuò)大開放協(xié)作,迎接高效大數(shù)據(jù)時代"的主題演講。他表示:"當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展正面臨內(nèi)存墻限制的挑戰(zhàn)。我們的首要解決方案是引入主動存儲(Active Memory)建立全新內(nèi)存層次結(jié)構(gòu),其次是發(fā)展以數(shù)據(jù)為中心的計算技術(shù)。"

三星電子副總裁,半導(dǎo)體事業(yè)軟件開發(fā)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人張實完(Silwan Chang)發(fā)表主題演講
三星電子副總裁,半導(dǎo)體事業(yè)軟件開發(fā)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人張實完(Silwan Chang)發(fā)表主題演講

三星半導(dǎo)體在峰會上介紹了面向人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)而研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù),能夠有效突破內(nèi)存墻限制的存儲解決方案,例如面向高性能計算優(yōu)化的高帶寬存儲"HBM3 Icebolt",它能夠在處理器旁提供高速性能和大容量內(nèi)存,具有高達(dá)819GB/s的性能和24GB的內(nèi)存容量;以及可以增加內(nèi)存容量,提高能效的內(nèi)存解決方案"CXL存儲擴(kuò)展器(CXL Memory Expander)",和同樣基于CXL協(xié)議,能夠在內(nèi)存和存儲之間高效遷移數(shù)據(jù)的"存儲器-語義固態(tài)硬盤(Memory-Semantic SSD)"。這些技術(shù)的發(fā)展為開發(fā)千兆級大容量存儲解決方案奠定了基礎(chǔ)。

三星半導(dǎo)體在OCP China Day 2023現(xiàn)場展臺
三星半導(dǎo)體在OCP China Day 2023現(xiàn)場展臺

去年,三星推出了全球其首款用于服務(wù)器PCIe 5.0的固態(tài)硬盤PM1743。該硬盤不僅將能效提高了一倍,還采用了自有的多租戶技術(shù)。峰會上,三星表示PM1743預(yù)計將在今年部署到需要超高性能的生成式人工智能應(yīng)用中。

隨后,三星特別介紹了通過OCP首次在中國公開展示的超高性能PCIe 5.0數(shù)據(jù)中心專用SSD——PM9D3a。它采用了三星先進(jìn)的控制器、軟件和系統(tǒng)技術(shù),最大的優(yōu)勢在于PM9D3a是一款能提供每TB 50KIOPS隨機(jī)寫入性能(最大8TB)的8通道產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比,隨機(jī)性能提高了1.8倍,能效提高了1.6倍。另外,PM9D3a能夠在高溫高濕環(huán)境下依舊保持可靠性,在多種數(shù)據(jù)中心環(huán)境中提供穩(wěn)定的解決方案。PM9D3a還采用了SPDM(安全協(xié)議和數(shù)據(jù)模型)功能來保護(hù)設(shè)備上的信息,加強(qiáng)了保密性和完整性的認(rèn)證。目前,PM9D3a已完成開發(fā)工作,預(yù)計于明年上半年將推出多種形態(tài)的產(chǎn)品以滿足客戶的需求。

同時,三星還分享了新的千兆級超高容量閃存解決方案"PBSSD",它將三星最新的V-NAND技術(shù)與各種內(nèi)存/存儲設(shè)備相結(jié)合,提供高性能、大容量和高能效的存儲,可以有效地幫助數(shù)據(jù)中心存儲資源,降本增效。

三星半導(dǎo)體表示,通過千兆級閃存解決方案(PBSSD),和存儲擴(kuò)展器等主動存儲解決方案,系統(tǒng)性能可以獲得有效提升。

三星半導(dǎo)體技術(shù)人員正在進(jìn)行現(xiàn)場產(chǎn)品講解
三星半導(dǎo)體技術(shù)人員正在進(jìn)行現(xiàn)場產(chǎn)品講解

為克服技術(shù)挑戰(zhàn),三星半導(dǎo)體相信開放創(chuàng)新是其有效的方法之一。為此,三星將在存儲器研究中心(SMRC)內(nèi)建立OCP體驗中心。作為與合作伙伴、OCP成員和學(xué)術(shù)界利益相關(guān)者合作共創(chuàng)的平臺,成員們可以在體驗中心共同解決技術(shù)難題并進(jìn)一步推動開源開發(fā),實現(xiàn)更多技術(shù)創(chuàng)新。

實際上,"內(nèi)存墻"并不是三星面臨的唯一挑戰(zhàn),以更快的速度處理數(shù)據(jù)需要大量的功耗,這將不可避免地導(dǎo)致大量碳排放。為實現(xiàn)2050年碳中和的目標(biāo),三星開發(fā)并應(yīng)用了生命周期評估(LCA)流程來計算和檢測所有產(chǎn)品的碳排放量,以減少產(chǎn)品生命周期和半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中對環(huán)境的影響。三星還加入IMEC的可持續(xù)半導(dǎo)體技術(shù)和系統(tǒng)(SSTS)計劃,通過合作創(chuàng)建一個可持續(xù)的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)和開發(fā)計算碳排放技術(shù),實現(xiàn)保護(hù)環(huán)境和可持續(xù)發(fā)展的最終目標(biāo)。

最后,三星電子副總裁張實完(Silwan Chang)表示,"作為致力于內(nèi)存技術(shù)發(fā)展的公司,我們將繼續(xù)在中國市場推動OCP開放式創(chuàng)新。這將成為推動技術(shù)發(fā)展、突破內(nèi)存墻等限制的重要動力。通過開放合作,我們將攜手到達(dá)新的高度。"