從去年開始，美國就開始修改規(guī)則，到今年中，美國共計修改三次規(guī)則，結(jié)果導(dǎo)致大量美國芯片企業(yè)以及使用美國技術(shù)的芯片企業(yè)不能自由出貨，除非是拿到許可。

數(shù)據(jù)顯示，美共計收到了4000多份申請，但僅通過了千余分申請，拿到許可的成功率并不高，像高通等多次申請均被拒絕了。

但現(xiàn)在情況出現(xiàn)了變化了，美國突然改口了，越來越多的企業(yè)拿到了許可，像索尼、豪威科技等都已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)自由出貨了。

消息稱，美國之前規(guī)定，凡是出貨均需要許可，沒有許可的情況下，不能自由出貨。

如今變成了，只要不是產(chǎn)品或者技術(shù)不用在5G設(shè)備上，就能夠很快拿到許可，甚至是用在移動等設(shè)備上，也是可以的。

這意味著，越來越多的企業(yè)都能夠拿到許可，畢竟高通也正式表態(tài)，再次申請許可，甚至臺積電還開始再次申請許可，目的都是實現(xiàn)自由出貨。

據(jù)了解，美突然改口，可能是因為壓力大，畢竟其是主要的芯片、原材料以及技術(shù)的出口國，限制企業(yè)出貨，自然導(dǎo)致企業(yè)壓力大。

消息稱這已經(jīng)給半導(dǎo)體行業(yè)帶來1500億元美元的損失，同時，這些企業(yè)還面臨巨大的庫存壓力。

另外，越來越多的企業(yè)都向美遞交申請，希望自由出貨，這無形之中也給美增加了壓力。

華為也搞出芯片大動作

就在美國松口、改口之際，華為也搞出了芯片大動作。

據(jù)悉，華為mate40系列手機已經(jīng)正式發(fā)布，但在華為Mate40系列手機上，華為采用了自研的閃存芯片，上面還帶有華為海思的logo。

也就是說，華為海思不斷完善芯片產(chǎn)業(yè)鏈，在更多的芯片上實現(xiàn)自研，而自研的屏幕驅(qū)動芯片，預(yù)計也會很快出現(xiàn)在華為手機上。

最主要的是，華為任正非發(fā)表了《向上捅破天，向下扎到根》的主題演講。

任正非表示，華為今天遇到的困難，不是依托全球化平臺，在戰(zhàn)略方向上壓上重兵產(chǎn)生突破，而有什么錯誤。而是我們設(shè)計的先進芯片，國內(nèi)的基礎(chǔ)工業(yè)還造不出來。

隨后就有消息稱，華為正計劃在上海建設(shè)一家不使用美國技術(shù)的芯片制造工廠。

另外，來自供應(yīng)商的消息稱，華為計劃投資200億美元實現(xiàn)芯片自主生產(chǎn)制造。

據(jù)了解，華為將從45nm芯片開始， 2021 年底之前為 “物聯(lián)網(wǎng)”設(shè)備制造 28 nm的芯片，并在 2022 年底之前為 5G 電信設(shè)備生產(chǎn) 20 nm的芯片。

華為搞出的這個芯片大動作，其實并不意外，畢竟在此之前，余承東就表示，華為以及國內(nèi)廠商沒有進入重資產(chǎn)的芯片制造領(lǐng)域，這是一個教訓(xùn)。

隨后，余承東宣布全面進入半導(dǎo)體領(lǐng)域，而華為海思則面向全球招聘40余位芯片博士，預(yù)示著華為海思向IDM轉(zhuǎn)型。

如今，任正非又表態(tài)，向上捅破天，向下扎到根，這明顯是想完全掌握芯片技術(shù)，實現(xiàn)芯片自研自產(chǎn)。

情況出現(xiàn)變化了

就在華為加速向芯片領(lǐng)域全面進入之際，外部出現(xiàn)了變化，越來越多的企業(yè)表態(tài)，甚至拿到了許可，實現(xiàn)了自由出貨。

例如，三星顯示、索尼以及豪威科技等都實現(xiàn)了自由出貨，而ASML將上市全新的DUV光刻機，而DUV光刻機直接向國內(nèi)廠商出口是不要許可的。

另外，高通、臺積電等也在申請許可，按照目前的情況來看，這兩者實現(xiàn)自由出貨的希望很大。

這對于華為而言，本身是卻是一件好事，但華為也需要警惕，自研自產(chǎn)之路不能放松。

畢竟任正非都說了，華為以后不想再經(jīng)歷卡脖子的情況，自己造芯片必須做，還要實現(xiàn)的。