據(jù)外媒New Atlas報(bào)道，得克薩斯大學(xué)的工程師們創(chuàng)造了有史以來最小的記憶存儲(chǔ)設(shè)備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。

這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過單個(gè)原子的運(yùn)動(dòng)來工作的，這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統(tǒng)鋪平道路。

這種新設(shè)備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻(Memristors)，它使用電阻開關(guān)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。從本質(zhì)上講，當(dāng)某種材料暴露在一定的電壓下時(shí)，其電阻可以切換，變得更強(qiáng)或更弱。這種現(xiàn)象可用于將數(shù)據(jù)寫入設(shè)備，隨后可測量其相對電阻以“讀取”存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

該團(tuán)隊(duì)表示，新裝置是有史以來最小的原子存儲(chǔ)器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片，厚度只有一個(gè)原子。如果要擴(kuò)大規(guī)模，它可以用來制造每平方厘米約25TB的存儲(chǔ)容量的芯片，這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運(yùn)行所需的能量也更少。