本文核心觀點(diǎn)

1.中芯國(guó)際目前是全球五大芯片代工企業(yè)之一。

2.研發(fā)實(shí)力 、產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)認(rèn)可等撐高中芯國(guó)際市盈率。

3.面對(duì)國(guó)際知名企業(yè)的直接競(jìng)爭(zhēng)，中芯國(guó)際通過打破光刻機(jī)禁錮實(shí)現(xiàn)突破。

4.中芯國(guó)際無需EUV光刻機(jī)，也能實(shí)現(xiàn)7nm工藝的生產(chǎn)。

市場(chǎng)的火熱以及企業(yè)自身的優(yōu)秀，使得中芯國(guó)際近期一直站在資本市場(chǎng)與輿論的中心。7月16日，其股票在科創(chuàng)板上市。一石激起千層浪，再度點(diǎn)燃了當(dāng)前A股投資者的熱情。

縱觀中芯國(guó)際從港交所“北上”科創(chuàng)板上市之路，其創(chuàng)造了眾多“A股之最”。

首先中芯國(guó)際創(chuàng)下了A股IPO最快的記錄。從提交申請(qǐng)到正式登陸科創(chuàng)板上市交易，中芯國(guó)際僅用了46天時(shí)間。

據(jù)億歐科創(chuàng)整理，今年5月5日，中芯國(guó)際官方宣布登錄科創(chuàng)板；6月1日，其遞交的科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲得受理；6月19日，中芯國(guó)際成功過會(huì)；6月22日，也就是僅過會(huì)后的一個(gè)交易日，中芯國(guó)際提交了注冊(cè)；6月29日，證監(jiān)會(huì)同意其科創(chuàng)板注冊(cè)申請(qǐng)；7月7日中芯國(guó)際開始上網(wǎng)申購(gòu)；7月16日其正式上市交易。

其次，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了規(guī)模之最。從融資規(guī)模上來看，中芯國(guó)際是繼2010年農(nóng)業(yè)銀行IPO以來，A股規(guī)模最大的IPO。此次中芯國(guó)際IPO發(fā)行價(jià)為27.46元/股，整體可募集資金達(dá)532億元，而在其超額配售選擇權(quán)全額行使后，公司上市時(shí)市值就可達(dá)到2029.09億元。

在A股捷報(bào)頻傳的同時(shí)，中芯國(guó)際在港股的股價(jià)也屢創(chuàng)新高。在其公布登陸科創(chuàng)板消息后，其港股股價(jià)也是一路暴漲。三個(gè)月的時(shí)間里，股價(jià)從14港元/股漲到45港元/股，漲幅超150.61%。截至7月14日收盤，其港股總市值已突破2389億港元。

按目前科創(chuàng)板新股行情來看，科創(chuàng)板新股上市后首日漲幅也明顯擴(kuò)大，中一簽中芯國(guó)際新股，或能獲得超普通人一年薪資的收益。如此受資本市場(chǎng)追捧，中芯國(guó)際憑什么？

篳路藍(lán)縷，國(guó)產(chǎn)拓荒者

首先因?yàn)闃?biāo)的稀缺。中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的芯片制造企業(yè)。

芯片產(chǎn)業(yè)鏈可分為：設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試三大部分。雖然芯片產(chǎn)業(yè)一直是我國(guó)的短板。但經(jīng)過一二十年的不斷追趕，我國(guó)在芯片設(shè)計(jì)與封裝測(cè)試領(lǐng)域，并沒有落后太多。

A股上市的一眾芯片企業(yè)，在設(shè)計(jì)與封裝測(cè)試這兩大環(huán)節(jié)的技術(shù)，已完全不落后于國(guó)際水平，甚至已經(jīng)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

但是大陸本土的芯片制造企業(yè)與如今最先進(jìn)的芯片制造商相比，還有明顯代際差距。與國(guó)際領(lǐng)先水平相比，中國(guó)大陸的芯片制造企業(yè)至少落后3-5年，工藝制程落后了大約3代。

這其中，國(guó)產(chǎn)芯片制造行業(yè)技術(shù)追趕的歷史，就是中芯國(guó)際的發(fā)展史。

與我國(guó)坎坷的集成電路行業(yè)發(fā)展史一樣，中芯國(guó)際的成長(zhǎng)經(jīng)歷可謂一波三折。

2000年，被譽(yù)為華人半導(dǎo)體界第三號(hào)人物的張汝京，前往上海創(chuàng)辦了中芯國(guó)際，在大陸芯片代工產(chǎn)業(yè)開始“拓荒”。當(dāng)時(shí)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落后于世界平均水平“至少20年”。

作為拓荒者，中芯國(guó)際面對(duì)許多困難。

首先，我國(guó)在半導(dǎo)體技術(shù)上幾乎完全空白。剛到大陸的張汝京發(fā)現(xiàn)，大陸僅有的幾家芯片企業(yè)都采用了全球芯片行業(yè)主流的IDM模式。但它們的體量遠(yuǎn)小于英特爾這類大型芯片制造商。這是它們工藝落后、運(yùn)營(yíng)效率低的重要原因。

其次，當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)極度缺乏半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域的人才。所幸，張汝京帶來了昔日舊部，還有當(dāng)時(shí)世界上最先進(jìn)的集成電路制造設(shè)備和主流工藝技術(shù)，我國(guó)芯片代工制造才得以走出“蠻荒”。

張汝京以其在美國(guó)半導(dǎo)體巨頭德州儀器工作20年積累的豐富的DRAM芯片設(shè)計(jì)和建廠經(jīng)驗(yàn)，為大陸芯片制造業(yè)發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。

經(jīng)過多年的發(fā)展，中芯國(guó)際憑著“篳路藍(lán)縷、以啟山林”的精神，目前已成為全球五大芯片代工企業(yè)之一。

2020年一季度前五大芯片代工企業(yè)營(yíng)收排名數(shù)據(jù)顯示，排名第一的是臺(tái)積電，其市場(chǎng)份額高達(dá)54.1%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)43.7%，是當(dāng)之無愧的霸主。韓國(guó)三星與美國(guó)格芯分列二三。第四名是聯(lián)電，份額為7.4%，與格芯相當(dāng)。作為大陸企業(yè)優(yōu)秀代表的中芯國(guó)際暫列第五，份額為4.5%，同比增長(zhǎng)27%。

中芯國(guó)際的成功，也給中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)帶來了一些不一樣的色彩。此前中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展主要依靠政府資金，而中芯國(guó)際沒有利用國(guó)家資金，而是采用市場(chǎng)化的方式運(yùn)作，闖出了中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的一條全新道路。

如此一來，作為國(guó)產(chǎn)芯片制造最高水平代表的中芯國(guó)際，理所當(dāng)然的被資本“眾星捧月”。國(guó)家大基金也先后兩次注資中芯國(guó)際。

在首個(gè)投資項(xiàng)目落定后不久，今年5月15日，中芯國(guó)際在港交所發(fā)布公告表示，中芯控股與國(guó)家集成電路基金等多方訂立新合資合同及新增資擴(kuò)股協(xié)議，大基金二期等多方同意分別注資15億美元及7.5億美元予中芯南方，以助力其發(fā)展14納米及以下工藝和制造技術(shù)。

雖然中芯國(guó)際是A股稀缺標(biāo)的，但目前，其所處行業(yè)中同類型企業(yè)的市盈率多為24左右。市盈率高達(dá)300多的中芯國(guó)際是否估值過高，值不值得市場(chǎng)如此的狂熱？

補(bǔ)全產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán)

研發(fā)實(shí)力是中芯國(guó)際支撐其高市盈率的第一屏障。集成電路晶圓代工涉及數(shù)十種科學(xué)技術(shù)及工程領(lǐng)域?qū)W科知識(shí)的綜合應(yīng)用，技術(shù)含量較高，需要經(jīng)歷前期的技術(shù)論證及后期的不斷研發(fā)實(shí)踐，且周期較長(zhǎng)。

為保持技術(shù)的先進(jìn)性，中芯國(guó)際每年投入的研發(fā)費(fèi)用巨大，顯著高于同行業(yè)可比上市公司9%的研發(fā)投入。其招股說明書顯示，2017-2019年，中芯國(guó)際的研發(fā)費(fèi)用分別為35.76億元、44.71億元、47.44億元，占營(yíng)業(yè)收入比例分別為16.72%、19.42%、21.55%。

其次，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的認(rèn)可也是其高市盈率的保障。天眼查數(shù)據(jù)顯示，數(shù)十家A股上市企業(yè)通過參與認(rèn)繳1至3億元聚源芯星的股份以獲得中芯國(guó)際戰(zhàn)略配售。

值得一提的是，聚源芯星股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)是一家由10多家中芯國(guó)際A股產(chǎn)業(yè)鏈公司組成的投資基金，包括上海新陽(yáng)、中微公司、韋爾股份等。

這表明中芯國(guó)際此次科創(chuàng)板申購(gòu)得到了多家上市公司的支持。而眾多半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)抱團(tuán)認(rèn)購(gòu)中芯國(guó)際的新股, 反映出產(chǎn)業(yè)鏈上下游對(duì)中芯國(guó)際引領(lǐng)地位的肯定和信心,有望帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同發(fā)展。

其實(shí)，中芯國(guó)際對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要意義足以支持其現(xiàn)在的市值。

中芯國(guó)際在大陸芯片制造產(chǎn)業(yè)中的重要性不能僅用其營(yíng)收等指標(biāo)來衡量，其作為產(chǎn)業(yè)拓荒者更重要的是對(duì)國(guó)家發(fā)展的戰(zhàn)略意義。盡管外部有封鎖和競(jìng)爭(zhēng)，但是中芯國(guó)際為大陸芯片制造產(chǎn)業(yè)積累了很多寶貴經(jīng)驗(yàn)，補(bǔ)全了國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的重要一環(huán)。

中芯國(guó)際縮小了中國(guó)晶圓制造與世界的差距，其發(fā)展與進(jìn)步極大促進(jìn)了中國(guó)晶圓制造工藝技術(shù)的提高，支持了國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)公司的發(fā)展，帶動(dòng)了相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)的協(xié)同發(fā)展。

以上游設(shè)備業(yè)為例，中芯國(guó)際倡導(dǎo)使用國(guó)內(nèi)廠商的設(shè)備，除了大家經(jīng)常聽到的光刻機(jī)之外，還有離子蝕刻機(jī)、離子注入機(jī)、光學(xué)拋光機(jī)、快速退火設(shè)備等等。

隨著企業(yè)工藝的不斷演進(jìn)，設(shè)備廠的技術(shù)能力得到了顯著提高，過去七年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備的市場(chǎng)占有率從1%提高到了15%。

此外，中芯國(guó)際還在積極推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作。其與國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域的主要高校和研究機(jī)構(gòu)開展產(chǎn)學(xué)研合作，共同發(fā)展前沿技術(shù)，推動(dòng)科技成果的產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)自主創(chuàng)新體系，提供在職訓(xùn)練崗位，培養(yǎng)面向工業(yè)的高端學(xué)術(shù)人才，促進(jìn)學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的學(xué)術(shù)交流。

雖然中芯國(guó)際目前取得了不錯(cuò)的成績(jī)，但與其直接競(jìng)爭(zhēng)的都是國(guó)際知名企業(yè)。中興國(guó)際與它們相比面臨體量過小，技術(shù)受限等問題，中芯國(guó)際如何克服掣肘，實(shí)現(xiàn)突破？

打破光刻機(jī)禁錮，實(shí)現(xiàn)N+1

此前，荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)禁運(yùn)中芯國(guó)際事件，又將光刻機(jī)這一重要設(shè)備推向風(fēng)口浪尖。

中芯國(guó)際與國(guó)際最先進(jìn)的芯片制造水平只有一兩代工藝的差距。但荷蘭ASML禁止向中芯國(guó)際提供EUV光刻機(jī)，使得中芯國(guó)際無法獲得EUV 技術(shù)，從而無法向更高制程前進(jìn)。

制程，指的是芯片內(nèi)電路與電路之間的距離。在生產(chǎn)CPU的過程中，集成電路的精細(xì)度、精度越高，生產(chǎn)工藝就越先進(jìn)。制程是微電子技術(shù)發(fā)展與進(jìn)步的重要指標(biāo)，芯片制程越高，意味著芯片可以擁有更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)，不僅芯片性能得以提升，而且功耗也能大幅降低。

目前，除了臺(tái)積電、英特爾、三星等世界頂尖廠商在積極追逐10nm、7nm、5nm甚至更先進(jìn)的制程。由于技術(shù)和資金的問題，聯(lián)電和格芯已經(jīng)放緩了革新的腳步，這對(duì)于中國(guó)本土的晶圓廠而言，是個(gè)不錯(cuò)的發(fā)展機(jī)遇。中芯國(guó)際這些年在工藝的突破頻頻告捷，國(guó)產(chǎn)芯片崛起可期。

2019年，中芯國(guó)際已宣布量產(chǎn)14nm芯片。且細(xì)看中芯國(guó)際的工藝研發(fā)路線可以發(fā)現(xiàn)，中芯國(guó)際在14nm量產(chǎn)后，可能會(huì)跳過10nm工藝，朝7nm的目標(biāo)邁進(jìn)。

中芯國(guó)際此前多次表示：中芯國(guó)際的下一代工藝是N+1工藝。雖然中芯國(guó)際沒有透露具體細(xì)節(jié)，只是稱下一代工藝與14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

換算下來，這正是7nm的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

一直以來，英特爾是按照單位面積內(nèi)晶體管的數(shù)量來判斷芯片工藝的標(biāo)準(zhǔn)。英特爾10nm芯片一個(gè)單位占面積54*44nm，每平方毫米1.008億個(gè)晶體管；臺(tái)積電7nm芯片一個(gè)單位占面積57*40nm，每平方毫米1.0123億個(gè)晶體管。而中芯國(guó)際的N+1代工藝，也達(dá)到了7nm的標(biāo)準(zhǔn)。

如果中芯國(guó)際能試產(chǎn)N+1工藝芯片，或能夠小批量生產(chǎn)N+1工藝芯片，中芯國(guó)際將成為全球第三家掌握10nm以下工藝的芯片代工企業(yè)。

除此之外，中芯國(guó)際的FinFET技術(shù)研發(fā)也在不斷向前推進(jìn)。第一代FinFET（14nm）已成功量產(chǎn)，第二代FinFET（12nm工藝）正在研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)。

中芯國(guó)際CEO梁孟松曾多次表示，目前中芯國(guó)際無需EUV光刻機(jī)，也能實(shí)現(xiàn)7nm工藝的生產(chǎn)，臺(tái)積電第一代7nm工藝芯片也沒有使用EUV光刻機(jī)。未來，中芯國(guó)際致力于在先進(jìn)制程上不斷突破。

半導(dǎo)體行業(yè)由于技術(shù)難，壟斷性高一直被譽(yù)為“印鈔機(jī)”行業(yè)。此次中芯國(guó)際上市后，希望其能憑借資本的優(yōu)勢(shì)，促進(jìn)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)同發(fā)展，扛起“國(guó)產(chǎn)替代”大旗。

不久的將來，中芯國(guó)際不僅是投資者的“印鈔機(jī)”，也能成為半導(dǎo)體行業(yè)的“印鈔機(jī)”。